Im Programm "Hochfrequenz-Schaltkreise" werden integrierte mm-Wellen-Schaltkreise & Synthesizer, Breitband-Mischsignal-Schaltkreise sowie Schaltkreise für drahtlose Anwendungen mit sehr geringem Energieverbrauch entwickelt und als Prototypen realisiert.
Integrierte Millimeterwellen-HF-Schaltkreise für Front-ends und Synthesizer zum Einsatz in der drahtlosen Kommunikation bei Frequenzen von etwa 10 bis über 500 GHz werden derzeit entwickelt. Sie ermöglichen in Zukunft Anwendungen im Bereich der drahtlosen Kurzstrecken-Kommunikation mit Bandbreiten von über 25 GHz und 100 Gbps. Weitere Einsatzgebiete sind hochintegrierte Radar-Transceiver, mm-Wellen- / THz-Sensoren für Sicherheitstechnik, zerstörungsfreie Materialprüfung, Bioanalytik und Raumfahrt.
Für die glasfasergestützte Breitbandkommunikation werden Konzepte und elektronische Komponenten für Glasfasersysteme mit Datenraten von 10 bis 400 Gbps pro Laser-Wellenlänge für zukünftige schnelle Glasfasernetze sowie opto-elektronische USB-Technologien der übernächsten Generation entwickelt. Beispiele dafür sind schnelle Verstärker (Transimpedanzverstärker, Treiber) mit extrem hohen Bandbreiten, A/D- & D/A-Wandler mit Sampling-Raten von über 20 GSps, schnelle Stromschalter-Logikschaltkreise, die Verarbeitung von Mischsignalen in Echtzeit sowie integrierte photonische Systeme (Silicon Photonics).
Extrem energiesparende HF-Frontends und HF-Komponenten werden für drahtlose Sensornetze entwickelt. Hierzu werden innovative Impuls-UWB-Transceiver, RFMEMS- basierte Schaltungen und Wake-Up-Radio-Konzepte erforscht, mit denen die geforderte Batterie-Lebensdauer von 10 Jahren erreichbar ist.
Email
Mehr
