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SiGeSn-NanoFETs

Objective

Das Ziel des Projekts ist die Erforschung integrierbarer, SiGeSn-basierter Transistorstrukturen und die Etablierung einer CMOS-integrierbaren SiGeSn-Bauelementtechnologieplattform durch Optimierung der Materialherstellung und Entwicklung einer geeigneten Bauelementprozesstechnologie.

IHP's Contribution

  • Herstellung der Ge-Buffer
  • Charakterisierung der hergestellten SiGeSn-Bauelemente und -Strukturen

Funding

Das Projekt wird durch das BMBF gefördert.

Project Partners

  • RWTH Aachen

  • Forschungszentrum Jülich

  • Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

  • Universität Stuttgart

The building and the infrastructure of the IHP were funded by the European Regional Development Fund of the European Union, funds of the Federal Government and also funds of the Federal State of Brandenburg.